パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。通常動作における両者の特…

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。通常動作における両者の特性を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

• (1)IGBTは，オンのゲート電圧が与えられなくても逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れる。
• (2)パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に正の電圧をかけることによりターンオンする。
• (3)パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり，一般的にバイポーラ形のIGBTと比べてターンオン時間が短い一方，流せる電流は小さい。
• (4)IGBTはキャリアの蓄積作用のためターンオフ時にテイル電流が流れ,パワーMOSFETと比べてオフ時間が長くなる。
• (5)パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで，高耐圧化と高耐熱化が可能になる。

出典：令和5年度上期第三種電気主任技術者 機械科目 問10（一般財団法人 電気技術者試験センター 公表）