バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一…

理論　第11問

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

(1)バイポーラトランジスタは，消費電力がFETより大きい。
(2)バイポーラトランジスタは，静電気に対してFETより破壊されにくい。
(3)バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは，FETのそれよりも低い。
(4)バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FETは電流制御素子といわれる。
(5)バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し，FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。真空中に置かれた平行電極板間に，直流電圧V[V]を加えて平等電界E[V/m]

正答 (4)

正答は (4) です。この設問は「適切でないもの」を選ぶ形式です。つまり「バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FETは電流制御素子といわれる。」に誤りが含まれており、残りの選択肢は適切な記述として扱われています。

出典：令和6年度上期第三種電気主任技術者理論科目問11（一般財団法人電気技術者試験センター公表）