次の文章は，不純物半導体に関する記述である。個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導価電子が(ｱ)体に，…

次の文章は，不純物半導体に関する記述である。個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導価電子が(ｱ)体に，価電子が個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えるこ(ｲ)とによって(ｳ)形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を(ｴ)という。上記の記述中の空白箇所(ｱ)～(ｴ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。(ｱ)(ｲ)(ｳ)(ｴ)

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出典：令和8年度上期第三種電気主任技術者 理論科目 問11（一般財団法人 電気技術者試験センター 公表）