次の文章は，不純物半導体に関する記述である。価電子が[ア]個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に，…
理論 第11問
次の文章は，不純物半導体に関する記述である。価電子が[ア]個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に，価電子が[イ]個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えることによって[ウ]形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を[エ]という。上記の記述中の空白箇所(ｱ)～(ｴ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
- (1)(ｱ): 4 (ｲ): 5 (ｳ): n (ｴ): ドナー
- (2)(ｱ): 4 (ｲ): 3 (ｳ): p (ｴ): アクセプタ
- (3)(ｱ): 5 (ｲ): 4 (ｳ): n (ｴ): アクセプタ
- (4)(ｱ): 4 (ｲ): 3 (ｳ): p (ｴ): ドナー
- (5)(ｱ): 5 (ｲ): 4 (ｳ): p (ｴ): アクセプタ
正答 (2)
正答は (2)。
(ｱ) シリコンは14族の元素で、価電子は4個です。(ｲ) ホウ素は13族の元素で、価電子は3個です。(ｳ) 価電子が3個の不純物を加えると、結合の手が1本足りず、電子の抜けた穴（正孔）ができます。正孔が多数キャリヤになるのでp 形半導体です。(ｴ) 電子を受け取る（正孔をつくる）不純物なので、アクセプタといいます。
【ほかの選択肢】
(1) 価電子5個の不純物（りんなど）を加えた場合の n 形・ドナーの組合せです。
ホウ素の価電子は5個ではありません。 誤り
(3) シリコンの価電子5個、n 形が誤りです。 誤り
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(4) ホウ素の不純物はドナーではなくアクセプタです。 誤り
(5) シリコンの価電子5個、ホウ素の4個が誤りです。 誤り
【覚え方】
3価（ホウ素・ガリウムなど）→ p 形・アクセプタ、5価（りん・ひ素など）→ n 形・ドナー。
出典：令和8年度上期第三種電気主任技術者 理論科目 問11（一般財団法人 電気技術者試験センター 公表）出典元ページ
最終更新日
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