IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。…
午後 第67問
IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。
- (1)コレクタ電流の大きさを制御できる。
- (2)MOS FET と比較してオン抵抗が小さい。
- (3)ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。
- (4)MOS FET とトランジスタを組合せた構造である。
- (5)バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。
正答 (5)
正答は (5) です。
この設問は「適切でないもの」を選ぶ形式です。つまり 「バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。」に誤りが含まれており、残りの選択肢は適切な記述として扱われています。
出典：2025年（令和7年） 診療放射線技師国家試験 問67（厚生労働省 公表）
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