第二級陸上無線技術士

次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から…

無線工学の基礎　無線工学の基礎 Ａ－10

次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) 抵抗率は、常温付近では温度が[Ａ]と一般に小さくなる。(2) アクセプタと言われるインジウム(In)やガリウム(Ga)を混入すると、[Ｂ]形半導体になる。(3) 結合及び結晶構造は、[Ｃ]結合でダイヤモンド構造である。

正答 (1)
正答は (1)。Siの抵抗率は温度が上がると小さくなり、3価のIn・Gaを混ぜるとP形、結合は共有結合です。 A：半導体は温度が上がると価電子帯から伝導帯へ移る電子（とその正孔）が増え、抵抗率が小さくなります（負の温度係数）。「上がる」 B：In・Ga は3価の元素で、4価のSiの結合に正孔を作るアクセプタです。正孔が多数キャリアのP形になります。「P」 C：Si原子は隣の4つの原子と価電子を共有して結びつく共有結合で、ダイヤモンド構造をとります。「共有」 【ほかの選択肢】 (2) (4) (5) イオン結合は食塩などの結晶の結合です
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(3) N形にするのは5価のリン（P）やヒ素（As）などのドナーです (4) (5) 温度が下がると抵抗率は大きくなります 【見分け方】 金属は温度が上がると抵抗が増え、半導体は減ると対で覚えます。

出典：2026年（令和8年）7月期 第二級陸上無線技術士 無線工学の基礎 Ａ－10（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ

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