次の記述は、エンハンスメント形のnチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ａ－11
次の記述は、エンハンスメント形のnチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
- (1)図記号は、図2である。
- (2)D-S間に流れる電流のキャリアは、主に自由電子である。
- (3)一般にD-S間に加える電圧は、Dが正(+)でSが負(−)である。
- (4)D-S間に電圧を加えて、G-S間の電圧を0〔V〕にしたとき、Dに電流は流れない。
- (5)原理的な内部構造は、図1である。
正答 (5)
正答は (5) です。
この設問は「適切でないもの」を選ぶ形式です。つまり 「原理的な内部構造は、図1である。」に誤りが含まれており、残りの選択肢は適切な記述として扱われています。
出典：2026年（令和8年）9月期 第一級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－11（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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