第二級海上無線通信士

次の記述は、半導体材料のシリコン(Si)の抵抗率〔Ω・m〕について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組…

無線工学の基礎　無線工学の基礎 Ａ－9

次の記述は、半導体材料のシリコン(Si)の抵抗率〔Ω・m〕について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) 銅の抵抗率より[Ａ]。(2) 常温付近では温度が上がると、[Ｂ]なる。(3) 5 価の不純物を混入すると、[Ｃ]なる。

正答 (3)
正答は (3) です。 記述の組合せを選ぶ形式です。「Ａ: 大きい　Ｂ: 小さく　Ｃ: 小さく」 の組合せが正答です。

出典：2026年（令和8年）9月期 第二級海上無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－9（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ

最終更新日

この回を通しで解く この分野を年度横断で解く

この問題はほかの試験・回でも出ています

「無線工学の基礎」のほかの問題

  1. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－11次の記述は、図に示す原理的な構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(MOS 形FET)に
  2. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－15次の記述は、図1 に示すブリッジ整流回路の動作について述べたものである。[ 　]内に入れ
  3. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－19最大目盛値が30〔mA〕で、精度階級の階級指数が0.5 の直流電流計の指示値が15〔mA
  4. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 エ次の記述は、各種の電気現象等について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句を下の番
  5. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ次の記述は、可変容量ダイオードの動作原理について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
  6. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－2図に示す回路において、電圧V0 の値として、正しいものを下の番号から選べ。

問題文・解答の修正依頼

スポンサーリンク