次の記述は、半導体について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。…

次の記述は、半導体について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。

• (1)真性半導体のシリコン(Si)に不純物として5 価のヒ素(As)を加えると、n 形半導体になる。
• (2)真性半導体のシリコン(Si)に不純物として3 価のインジウム(In)を加えると、p 形半導体になる。
• (3)一般に、半導体の抵抗値は、常温付近では温度が高くなると、大きくなる。
• (4)p 形半導体の多数キャリアは、正孔(ホール)である。
• (5)n 形半導体の多数キャリアは、自由電子である。

出典：2026年（令和8年）8月期 航空無線通信士 無線工学 Ａ－2（公益財団法人日本無線協会 公表）