次の記述は、マイクロ波やミリ波帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたものである。[  ]内に入れるべき字…

無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-12

次の記述は、マイクロ波やミリ波帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたものである。[  ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) インパットダイオードは、PN 接合の[A]とキャリアの走行時間効果により発振する。(2) トンネルダイオードは、PN 接合に順方向電圧を加えたときの[B]特性を利用し発振する。(3) 進行波管は、界磁コイル内に置かれた回路(ら旋遅延回路)の作用を利用し、[C]の増幅が可能である。

正答 (2)
正答は (2)。インパットダイオードはなだれ現象、トンネルダイオードは負性抵抗、進行波管は広帯域の増幅が特徴です。 インパットダイオード:PN接合のなだれ現象(アバランシェ)とキャリアの走行時間効果で負性抵抗が生じ、発振する トンネルダイオード:順方向電圧を加えたときに、電圧が増えると電流が減る負性抵抗の領域があり、これを使って発振する 進行波管:ら旋遅延回路で電子流と電磁波の速度を合わせて相互作用させるので、空洞共振器を使わず広帯域の増幅ができる 【ほかの選択肢】 (1) Bのバイアス抵抗、Cの狭帯域が誤り
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(3) Bの可変容量が誤り(可変容量はバラクタダイオード) (4) Aの降伏現象、Bのバイアス抵抗が誤り (5) Aの降伏現象、Cの狭帯域が誤り 【見分け方】 共振器を持たない進行波管は広帯域、共振器を使うクライストロンは狭帯域です。

出典:2026年(令和8年)1月期 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 A-12(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ

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