次の記述は、図1 に示す原理的構造の電界効果トランジスタ (FET) について述べたものである。[ ]内に入れるべき字…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ａ－11
次の記述は、図1 に示す原理的構造の電界効果トランジスタ (FET) について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) ゲート(G)層の構造から[A]形FET である。(2) ドレイン(D)-ソース(S)間には[B]チャネルが形成される。(3) 図記号は、図2 の[C]である。
- (1)A: MOS B: N C: ア
- (2)A: MOS B: N C: イ
- (3)A: MOS B: P C: イ
- (4)A: 接合 B: N C: ア
- (5)A: 接合 B: P C: イ
正答 (3)
正答は (3) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「A: MOS B: P C: イ」 の組合せが正答です。
出典：2026年（令和8年）3月期 第一級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－11（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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