第一級総合無線通信士

次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導体Sに直流電流 I〔A〕を流した…

無線工学の基礎　無線工学の基礎 Ｂ－1 オ

次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導体Sに直流電流 I〔A〕を流したときの現象について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句を下の番号から選べ。ただし、Sは x、y、z 直交座標系の x z 面上に置かれ、B の方向は y 軸方向、I の方向は x 軸方向とする。(1) Sの中をホール(正孔)が x 軸方向に移動する。このホールには[ア]軸方向にローレンツ力が作用する。(2) (1)により、Sの中のホールに偏りが生じ、端子ab間に起電力 Vh〔V〕が生じる。これを[イ]効果という。(3) Vh の大きさは、k を比例定数とすると、k × [ウ]〔V〕と表すことができる。(4) Vh の極性は、端子[エ]が正(+)となる。(5) この現象を利用して、[オ]を測定することができる。[オ]に入れるべき字句はどれか。

第一級総合無線通信士 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ｂ－1 オの表
正答 (5)
正答は (5) です。 選択肢(5)「磁界の強さ」が正答として示されています。

出典：2026年（令和8年）9月期 第一級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ｂ－1 オ（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ

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