第二級総合無線通信士

次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号か…

無線工学の基礎　無線工学の基礎 Ａ－11

次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) トランジスタを大別するとバイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタの二つがあり、このうち FET は[Ａ]トランジスタに属する。また、FET の構造が、金属 − 酸化膜(絶縁物) − 半導体により構成されているものを[Ｂ]FET という。(2) シリコン半導体に代わり、化合物半導体のガリウムヒ素(GaAs)を用いた FET は、電子移動度が[Ｃ]、高周波特性が優れているため、マイクロ波の高出力増幅器等に広く用いられている。

正答 (2)
正答は (2) です。 記述の組合せを選ぶ形式です。「Ａ: ユニポーラ　Ｂ: MOS　Ｃ: 大きく」 の組合せが正答です。

出典：2026年（令和8年）9月期 第二級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－11（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ

最終更新日

この回を通しで解く この分野を年度横断で解く

この問題はほかの試験・回でも出ています

「無線工学の基礎」のほかの問題

  1. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－13次の記述は、バイポーラトランジスタによるダーリントン接続について述べたものである。[ 　
  2. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－17次の記述は、図に示す永久磁石可動コイル形電流計の動作について述べたものである。[ 　]内
  3. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 イ次の記述は、各種の電気現象等について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句を下の番
  4. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ア次の記述は、可変容量ダイオードの動作原理について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
  5. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 オ次の記述は、可変容量ダイオードの動作原理について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
  6. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－4次の記述は、図に示すように永久磁石M を、円筒に巻いたコイルL の近くで動かしたときに生

問題文・解答の修正依頼

スポンサーリンク