図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路において、ドレイン電流(直流)ID が3〔mA〕、自己バイアス電圧…

無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-11

図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路において、ドレイン電流(直流)ID が3〔mA〕、自己バイアス電圧ES が0.6〔V〕、相互コンダクタンスgm が6〔mS〕であった。このときの電圧増幅度の大きさの値AV と抵抗RS〔Ω〕の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、負荷抵抗RL は4〔kΩ〕、ドレイン抵抗rD はrD≫RL とし、コンデンサCS のインピーダンスは、十分小さな値とする。

第三級総合無線通信士 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-11の図
正答 (2)
正答は (2) です。 記述の組合せを選ぶ形式です。「AV: 24 RS: 200〔Ω〕」 の組合せが正答です。

出典:2026年(令和8年)3月期 第三級総合無線通信士 無線工学の基礎 A-11(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ

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