図1に示すトランジスタ(Tr)回路のベース電流IB及びコレクタ電流ICの最も近い値の組合せとして、正しいものを下の番号か…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-10
図1に示すトランジスタ(Tr)回路のベース電流IB及びコレクタ電流ICの最も近い値の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Trのコレクタ-エミッタ間電圧をVCE、ベース-エミッタ間電圧をVBEとし、VCE-IC特性及びVBE-IB特性はそれぞれ図2及び図3とする。
- (1)IB: 50〔μA〕 IC: 1〔mA〕
- (2)IB: 50〔μA〕 IC: 3〔mA〕
- (3)IB: 30〔μA〕 IC: 1〔mA〕
- (4)IB: 30〔μA〕 IC: 3〔mA〕
正答 (4)
正答は (4) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「IB: 30〔μA〕 IC: 3〔mA〕」 の組合せが正答です。
出典:2026年(令和8年)9月期 第三級総合無線通信士 無線工学の基礎 A-10(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
「無線工学の基礎」のほかの問題
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-11図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路において、ドレイン電流(直流)ID
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-1 イ次の記述は、図に示すような直線上に、Q1 = Q〔C〕、Q2 = 4Q〔C〕及びQ3 =
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-6 オ次の記述は、図に示すように、最大目盛値が10〔A〕の二つの直流電流計A1及びA2を並列に
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-3 イ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕及び容量リアクタンスXC 〔Ω〕の直列回路の電力について
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-4 オ次の記述は、図に示すダイオードD を用いた回路について述べたものである。[ ]内に入れ
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-7 ウ次の記述は、図に示す交流ブリッジ回路を用いて静電容量の値CX〔F〕を測定する方法について
スポンサーリンク


