次の記述は、増幅回路の電圧増幅度の大きさAと、Aをデシベルで表現したときの電圧利得Gについて述べたものである。[ ]内…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 B-4 ウ
次の記述は、増幅回路の電圧増幅度の大きさAと、Aをデシベルで表現したときの電圧利得Gについて述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下の番号から選べ。(1) Gは、G = [ア]×log10[イ]〔dB〕で表される。(2) したがって、G = 0〔dB〕のときA = [ウ]であり、A = 100のときG = [エ]〔dB〕である。(3) 電圧利得G1〔dB〕と電圧利得G2〔dB〕の増幅回路を直列に接続したときの全体の電圧利得G0は、G0 = [オ]〔dB〕である。[ウ]に入れるべき字句はどれか。
- (1)10
- (2)A
- (3)1
- (4)40
- (5)G1×G2
- (6)20
- (7)A⁴
- (8)0
- (9)80
- (10)G1+G2
正答 (3)
正答は (3) です。
選択肢(3)「1」が正答として示されています。
出典:2026年(令和8年)9月期 第三級総合無線通信士 無線工学の基礎 B-4 ウ(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
「無線工学の基礎」のほかの問題
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-3 エ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕及び容量リアクタンスXC 〔Ω〕の直列回路の電力について
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-5 イ次の記述は、図に示す増幅回路について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句を下の番
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-7 オ次の記述は、図に示す交流ブリッジ回路を用いて静電容量の値CX〔F〕を測定する方法について
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-9次の記述は、半導体素子の材料として用いられる真性半導体のシリコン(Si)の一般的な特徴に
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-18図に示すQ メータの原理的な回路において、標準信号発振器SG の電圧Vs を20〔mV〕
- 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-6 ウ次の記述は、図に示すように、最大目盛値が10〔A〕の二つの直流電流計A1及びA2を並列に
スポンサーリンク

