次の記述は、図に示すP チャネルMOS 形の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべ…
無線工学 無線工学 A-7
次の記述は、図に示すP チャネルMOS 形の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) 一般に、ドレイン・ソース間には、[A]の電圧を加えて用いる。(2) FET の相互コンダクタンスgm は、電圧及び電流の変化分をΔ とすれば gm =[B]で表される。(3) (1)の場合、VGS = 0〔V〕のときID は[C]。
- (1)A: D に負(-)、S に正(+) B: ΔID /ΔVDS C: 流れる
- (2)A: D に負(-)、S に正(+) B: ΔID /ΔVGS C: 流れる
- (3)A: D に負(-)、S に正(+) B: ΔID /ΔVGS C: 流れない
- (4)A: D に正(+)、S に負(-) B: ΔID /ΔVDS C: 流れない
- (5)A: D に正(+)、S に負(-) B: ΔID /ΔVGS C: 流れる
正答 (3)
正答は (3)。
【結論】
図の記号を読み取ります。矢印がチャネルから外へ向いているのでPチャネル形です。チャネルを表す縦の線が3つに切れているので、エンハンスメント形のMOS FETです。
A Pチャネル形では、キャリアが正孔です。ソースからドレインへ正孔を流すため、ドレインをソースより低い電位、つまり D に負(-)、S に正(+)の電圧を加えます
B 相互コンダクタンスは、ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の割合で、gm=ΔID/ΔVGS です
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C エンハンスメント形は、ゲートに電圧を加えてはじめてチャネルができます。VGS=0V では ID は流れません
【誤りの選択肢】
(1) (4) ΔID/ΔVDS はドレイン抵抗の逆数(ドレインコンダクタンス)で、相互コンダクタンスではありません
(1) (2) (5) VGS=0V で電流が流れるのはデプレッション形です
(4) (5) D に正、S に負を加えるのはNチャネル形の使い方です
【見分け方】
MOS FET の記号は、チャネルの線が切れていればエンハンスメント形、つながっていればデプレッション形です。矢印が内向きならNチャネル、外向きならPチャネルです。
出典:2026年(令和8年)8月期(臨時) 第一級アマチュア無線技士 無線工学 A-7(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
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