図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン - ソース間電圧VDS を10〔V〕一定にして、ゲート - ソース間電…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ａ－12
図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン - ソース間電圧VDS を10〔V〕一定にして、ゲート - ソース間電圧VGSを変えてドレイン電流ID を求めたとき、表の結果が得られた。このとき、ID = 4〔mA〕付近におけるFET の相互コンダクタンスの値として、最も近いものを下の番号から選べ。
正答 (2)
正答は (2) です。
選択肢は図で示されています。
出典：2026年（令和8年）3月期 第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－12（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
「無線工学の基礎」のほかの問題
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ａ－11次の記述は、エンハンスメント形のnチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(FET)につ
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ａ－18図1に示す回路の抵抗 R2 に流れる電流の測定のために、図2に示すように内部抵抗 RA
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ｂ－1 オ次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ｂ－3 イ次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ｂ－4 エ次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
- 2026年（令和8年）9月期 無線工学の基礎 Ａ－1図に示すように、真空中に置かれた無限長の半径 a〔m〕の円柱に、単位長あたり Q〔C/m
スポンサーリンク