第一級海上無線通信士　無線工学の基礎

条件に合う問題がありません。絞り込みを緩めてください。

問題を個別に見る全74問

「無線工学の基礎」の設問を、正答つきで1問ずつ。

1. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－1図に示すように、電界の強さE〔V/m〕が一様な電界中を電荷Q〔C〕が電界の方向に対してθ
2. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－2図に示す回路において、二つの静電容量C1及びC2に蓄えられる静電エネルギーの総和が36〔
3. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－3次の記述は、図に示すように、磁束密度がB〔T〕の一様な磁界中に置かれた直線導体L にI〔
4. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－4次の記述は、図に示す磁石M の磁極間において、一辺がl〔m〕の正方形のコイルD が、中心
5. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－6図に示す直流回路の端子ab 間の電圧Vab の値として、正しいものを下の番号から選べ。
6. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－7次の記述は、図に示す回路の各種電力と力率について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
7. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－8図に示す回路において、スイッチSW が断(OFF)のとき、可変静電容量C の値がC1〔F
8. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－9次の記述は、図に示す各種電流波形とその平均値Iav を表す式について述べたものである。　
9. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－10次の記述は、図1 に示すように、特性の等しいダイオードD を二つ直列に接続した回路の電圧
10. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－11次の記述は、図1 に示す原理的構造の電界効果トランジスタ (FET) について述べたもの
11. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－12図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン - ソース間電圧VDS を10〔V〕一
12. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－13図に示すトランジスタ(Tr)回路において、エミッタ電流IE の値が4.5〔mA〕であると
13. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－14次の記述は、図に示す増幅度Ao の増幅回路と帰還率β の帰還回路で構成された負帰還増幅回
14. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－15図に示すトランジスタ(Tr)を用いた原理的なコルピッツ発振回路の発振周波数f0 の値とし
15. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－16図1 に示すJK フリップフロップFF1、FF2、及びFF3を用いた回路の入力C に、図
16. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－17次の記述は、図に示す永久磁石可動コイル形計器の原理的な動作について述べたものである。この
17. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－18図に示すように、二つの直流電圧計V1及びV2 を直列に接続したとき、指示値の和として測定
18. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－19図に示すブリッジ回路が平衡したとき、静電容量CX 及び抵抗RX の値の組合せとして、正し
19. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ａ－20次の記述は、測定方法の偏位法及び零位法について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字
20. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ア次の表は、電気磁気量の単位を他のSI 単位を用いて表したものである。[ 　]内に入れるべ
21. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 イ次の表は、電気磁気量の単位を他のSI 単位を用いて表したものである。[ 　]内に入れるべ
22. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ウ次の表は、電気磁気量の単位を他のSI 単位を用いて表したものである。[ 　]内に入れるべ
23. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 エ次の表は、電気磁気量の単位を他のSI 単位を用いて表したものである。[ 　]内に入れるべ
24. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 オ次の表は、電気磁気量の単位を他のSI 単位を用いて表したものである。[ 　]内に入れるべ
25. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ア次の記述は、各種の半導体素子の一般的特徴について述べたものである。このうち正しいものを1
26. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 イ次の記述は、各種の半導体素子の一般的特徴について述べたものである。このうち正しいものを1
27. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ次の記述は、各種の半導体素子の一般的特徴について述べたものである。このうち正しいものを1
28. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 エ次の記述は、各種の半導体素子の一般的特徴について述べたものである。このうち正しいものを1
29. 2026年（令和8年）3月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 オ次の記述は、各種の半導体素子の一般的特徴について述べたものである。このうち正しいものを1
30. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－1図に示すように、真空中に置かれた無限長の半径 a〔m〕の円柱に、単位長あたり Q〔C/m
31. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－2次の記述は、図1に示すように、金属板Mを貫いている磁束 φ が時間と共に変化するときにM
32. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－3次の記述は、図に示す環状鉄心Mの磁気回路の磁気抵抗について述べたものである。[ 　]内に
33. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－4図1に示すように、耐電圧がすべて100〔V〕である3個のコンデンサの静電容量の値がそれぞ
34. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－5図に示す直流回路において、抵抗 R9 を流れる電流 I9 が1〔mA〕であるとき、直流電
35. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－6次の記述は、周波数及び実効値がそれぞれ60〔Hz〕及び100〔V〕で等しく、位相差が π
36. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－7次の記述は、図1に示す回路に流れる電流 İ のベクトル軌跡について述べたものである。[
37. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－8次の記述は、図に示す抵抗 R〔Ω〕、容量リアクタンス XC〔Ω〕及び誘導リアクタンス X
38. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－9次の記述は、半導体について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合せを下
39. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－10次の記述は、ツェナーダイオードについて述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正し
40. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－11次の記述は、エンハンスメント形のnチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(FET)につ
41. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－12図に示すエミッタ接地トランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧 VCE の値とし
42. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－13次の記述は、図に示す接合形電界効果トランジスタ(FET)のバイアス回路について述べたもの
43. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－14次の記述は、図に示すトランジスタ(Tr)を用いた原理的な水晶発振回路について述べたもので
44. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－15図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた回路の出力電圧 Vo の値として、正しいもの
45. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－16次の記述は、図に示す論理回路について述べたものである。このうち正しいものを下の番号から選
46. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－17次の記述は、指示電気計器を単体で使用する場合の特徴について述べたものである。[ 　]内に
47. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－18図1に示す回路の抵抗 R2 に流れる電流の測定のために、図2に示すように内部抵抗 RA
48. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－19図に示す回路において、スイッチSWをa側にしたとき、直流電圧計Vの指示値は100〔V〕で
49. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ａ－20図に示す交流ブリッジ回路が平衡しているとき、抵抗 Rx〔Ω〕及び自己インダクタンス Lx
50. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ア次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
51. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 イ次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
52. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ウ次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
53. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 エ次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
54. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 オ次の記述は、図に示すように、磁束密度が B〔T〕の一様な磁界中に置かれた直方体のp形半導
55. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 ア次の記述は、図に示す回路の入力電圧 V̇i〔V〕と出力電圧 V̇o〔V〕の関係について述
56. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 イ次の記述は、図に示す回路の入力電圧 V̇i〔V〕と出力電圧 V̇o〔V〕の関係について述
57. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 ウ次の記述は、図に示す回路の入力電圧 V̇i〔V〕と出力電圧 V̇o〔V〕の関係について述
58. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 エ次の記述は、図に示す回路の入力電圧 V̇i〔V〕と出力電圧 V̇o〔V〕の関係について述
59. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 オ次の記述は、図に示す回路の入力電圧 V̇i〔V〕と出力電圧 V̇o〔V〕の関係について述
60. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ア次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
61. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 イ次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
62. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
63. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 エ次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
64. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 オ次の記述は、図1に示す半導体素子 DT とそれを用いた回路の動作について述べたものである
65. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ア次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
66. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 イ次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
67. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ウ次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
68. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 エ次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
69. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 オ次の記述は、図1に示す増幅回路Aと帰還回路Bを用いて構成した負帰還増幅回路について述べた
70. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 ア次の記述は、図1に示す交流電流計A1、A2及びA3それぞれの測定値 I1〔A〕、I2〔A
71. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 イ次の記述は、図1に示す交流電流計A1、A2及びA3それぞれの測定値 I1〔A〕、I2〔A
72. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 ウ次の記述は、図1に示す交流電流計A1、A2及びA3それぞれの測定値 I1〔A〕、I2〔A
73. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 エ次の記述は、図1に示す交流電流計A1、A2及びA3それぞれの測定値 I1〔A〕、I2〔A
74. 2026年（令和8年）9月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 オ次の記述は、図1に示す交流電流計A1、A2及びA3それぞれの測定値 I1〔A〕、I2〔A

問題文・解答の修正依頼

関連教材Amazon

解いていて手応えが無いところは、本で埋めるのが早いです。

Amazonのアソシエイトとして、過去問NAVIは適格販売により収入を得ています。