次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。[  ] 内に入れるべき字句の正し…

無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-11

次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。[  ] 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の[  ] 内には、同じ字句が入るものとする。(1) 図1に示すように、ゲート-ソース(G-S)間電圧VGSを0〔V〕としたとき、PN接合部に[A]が存在し、ドレイン-ソース(D-S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD-S間に電流が流れないFETを[B]形FETという。(2) 図2に示すように、VGSを十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられて[C]が形成され、D-S間に電流が流れるようになる。

第一級陸上無線技術士 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-11の図
正答 (3)
正答は (3)。VGS=0でPN接合部に空乏層があり電流が流れないのはエンハンスメント形で、正のゲート電圧で反転層ができます。 図1の状態では、ソースとドレインのN⁺領域とP形の基板の間に空乏層があり、チャネルが無いのでVDSを加えても電流は流れません。このようにゲート電圧が0で電流が流れないFETがエンハンスメント形です。 図2のようにゲートに十分な正電圧を加えると、ゲートの直下では多数キャリアの正孔がしりぞけられ、電子が集まってN形に反転した層(反転層)ができ、これがチャネルになって電流が流れます。
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【ほかの選択肢】 (1) (2) Aを反転層、Cを空乏層とするのは、図1と図2の状態が逆です (4) デプレッション形は、VGS=0でもチャネルがあり電流が流れる形です (5) ユニポーラはFET全般の呼び名(1種類のキャリアで動く)で、この区別ではありません 【見分け方】 エンハンスメント形は「電圧を加えてチャネルを作る」、デプレッション形は「電圧を加えてチャネルを狭める」と覚えます。

出典:2026年(令和8年)7月期 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 A-11(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ

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