次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。[ ] 内に入れるべき字句の正し…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-11
次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。[ ] 内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の[ ] 内には、同じ字句が入るものとする。(1) 図1に示すように、ゲート-ソース(G-S)間電圧VGSを0〔V〕としたとき、PN接合部に[A]が存在し、ドレイン-ソース(D-S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD-S間に電流が流れないFETを[B]形FETという。(2) 図2に示すように、VGSを十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられて[C]が形成され、D-S間に電流が流れるようになる。
- (1)A: 反転層 B: デプレッション C: 空乏層
- (2)A: 反転層 B: エンハンスメント C: 空乏層
- (3)A: 空乏層 B: エンハンスメント C: 反転層
- (4)A: 空乏層 B: デプレッション C: 反転層
- (5)A: 空乏層 B: ユニポーラ C: 反転層
正答 (3)
正答は (3)。VGS=0でPN接合部に空乏層があり電流が流れないのはエンハンスメント形で、正のゲート電圧で反転層ができます。
図1の状態では、ソースとドレインのN⁺領域とP形の基板の間に空乏層があり、チャネルが無いのでVDSを加えても電流は流れません。このようにゲート電圧が0で電流が流れないFETがエンハンスメント形です。
図2のようにゲートに十分な正電圧を加えると、ゲートの直下では多数キャリアの正孔がしりぞけられ、電子が集まってN形に反転した層(反転層)ができ、これがチャネルになって電流が流れます。
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【ほかの選択肢】
(1) (2) Aを反転層、Cを空乏層とするのは、図1と図2の状態が逆です
(4) デプレッション形は、VGS=0でもチャネルがあり電流が流れる形です
(5) ユニポーラはFET全般の呼び名(1種類のキャリアで動く)で、この区別ではありません
【見分け方】
エンハンスメント形は「電圧を加えてチャネルを作る」、デプレッション形は「電圧を加えてチャネルを狭める」と覚えます。
出典:2026年(令和8年)7月期 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 A-11(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
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