次の記述は、図に示す接合形電界効果トランジスタ(FET)のバイアス回路について述べたものである。[ ]内に入れるべき字…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ａ－13
次の記述は、図に示す接合形電界効果トランジスタ(FET)のバイアス回路について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、Gに流れる電流は無視するものとする。(1) ドレイン電流を ID〔A〕とすると、抵抗 RS の両端電圧 VS は、VS = [Ａ]〔V〕で表される。(2) D-S間電圧 VDS は、VDS = V − ([Ｂ]) × ID〔V〕で表される。(3) G-S間電圧 VGS は、VGS = [Ｃ]〔V〕で表される。
- (1)Ａ: RG ID Ｂ: RL Ｃ: −(VS+VDS)
- (2)Ａ: RG ID Ｂ: RL Ｃ: −VS
- (3)Ａ: RS ID Ｂ: RL+RS Ｃ: −VS
- (4)Ａ: RS ID Ｂ: RL−RS Ｃ: −VS
- (5)Ａ: RS ID Ｂ: RL+RS Ｃ: −(VS+VDS)
正答 (3)
正答は (3) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「Ａ: RS ID Ｂ: RL+RS Ｃ: −VS」 の組合せが正答です。
出典：2026年（令和8年）9月期 第一級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－13（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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