パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBT とパワーMOSFET が用いられている。通常動作における両者…

【正しい選択肢の確認】 (2) パワーモスフェットは電圧駆動形の素子で、 ゲートとソースの間に正の電圧をかけるだけでオンになります。ゲートは絶縁されているので、定常的なゲート電流はほとんど流れません。駆動回路が簡単で済むのが長所です。正しい記述です。 (3) パワーモスフェットは電子だけが電流を運ぶユニポーラ素子です。 少数キャリアの蓄積がないのでスイッチングが速く、ターンオン時間が短くなります。一方、アイジービーティーは電子と正孔の両方が電流を運ぶバイポーラ形なので、導通時の抵抗を下げやすく、大きな電流を流せます。正しい記述です。 (4) アイジービーティーでは、オンの間に蓄えられた少数キャリアが オフにしてもすぐには消えず、しっぽを引くように電流が流れ続けます。これをテイル電流といい、オフ時間が長くなる原因になります。スイッチング損失が増えるので、高い周波数での動作には不利です。正しい記述です。 (5) 炭化けい素（シリコンカーバイド）は、 けい素（シリコン）に比べて絶縁破壊電界が約10倍、バンドギャップが約3倍と大きく、熱伝導率も優れています。そのため、同じ耐圧なら素子を薄くでき、高耐圧化と高耐熱化の両立が可能になります。正しい記述です。