次の記述は、図1に示す原理的構造のMOS形電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ｂ－3 エ
次の記述は、図1に示す原理的構造のMOS形電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) DS間に作られるチャネルは[ア]である。(2) 電極Gの名称は、[イ]である。(3) aには、二酸化シリコン等の[ウ]が用いられる。(4) DS間には、一般に[エ]の電圧を加えて使用する。(5) デプレション形の図記号は、[オ]である。[エ]に入れるべき字句はどれか。
- (1)p
- (2)ゲート
- (3)絶縁物
- (4)Dに負(-)、Sに正(+)
- (5)図3
- (6)n
- (7)グリッド
- (8)導電体
- (9)Dに正(+)、Sに負(-)
- (10)図2
正答 (9)
正答は (9) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「Dに正(+)、Sに負(-)」 の組合せが正答です。
出典：2026年（令和8年）9月期 第三級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ｂ－3 エ（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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