次の記述は、半導体について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-9
次の記述は、半導体について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) p形半導体の多数キャリアは、[A]である。(2) n形半導体を作るために真性半導体に入れる不純物を、[B]という。(3) 半導体は、温度が上昇すると、一般に抵抗率が[C]なる。
- (1)A: 正孔 B: アクセプタ C: 小さく
- (2)A: 正孔 B: アクセプタ C: 大きく
- (3)A: 正孔 B: ドナー C: 小さく
- (4)A: 自由電子 B: アクセプタ C: 小さく
- (5)A: 自由電子 B: ドナー C: 大きく
正答 (3)
正答は (3) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「A: 正孔 B: ドナー C: 小さく」 の組合せが正答です。
出典:2026年(令和8年)9月期 第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 A-9(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
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