次の記述は、半導体について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。…
無線工学 無線工学 Ａ－2
次の記述は、半導体について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
- (1)真性半導体のシリコン(Si)に不純物として5 価のヒ素(As)を加えると、n 形半導体になる。
- (2)真性半導体のシリコン(Si)に不純物として3 価のインジウム(In)を加えると、p 形半導体になる。
- (3)一般に、半導体の抵抗値は、常温付近では温度が高くなると、大きくなる。
- (4)p 形半導体の多数キャリアは、正孔(ホール)である。
- (5)n 形半導体の多数キャリアは、自由電子である。
正答 (3)
正答は (3) です。
この設問は「適切でないもの」を選ぶ形式です。つまり 「一般に、半導体の抵抗値は、常温付近では温度が高くなると、大きくなる。」に誤りが含まれており、残りの選択肢は適切な記述として扱われています。
出典：2026年（令和8年）8月期 航空無線通信士 無線工学 Ａ－2（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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