次の記述は、半導体及び半導体素子について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。…
無線工学B 無線工学B 〔5〕
次の記述は、半導体及び半導体素子について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
- (1)不純物を含まないSi(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)等の単結晶半導体を真性半導体という。
- (2)PN 接合ダイオードは、電流がN 形半導体からP 形半導体へ一方向に流れる整流特性を有する。
- (3)P 形半導体の多数キャリアは、正孔である。
- (4)ツェナーダイオードは、主に逆方向電圧を加えたときの定電圧特性を利用する。
正答 (2)
正答は (2)。これが誤りです。
【結論】
PN接合ダイオードは、P形に正、N形に負の電圧を加えた順方向のとき、P形からN形へ電流が流れます。逆向きの N形からP形へは、ほとんど電流が流れません。「N形からP形へ一方向に流れる」とする (2) は向きが逆で、誤りです。
【ほかの選択肢】
(1) 不純物を含まない Si(シリコン)や Ge(ゲルマニウム)の単結晶を真性半導体といいます 正しい
(3) P形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)です 正しい
(4) ツェナーダイオードは、逆方向電圧を加えたとき、ツェナー電圧で電圧がほぼ一定になる性質を利用し、定電圧回路に使います 正しい
【覚え方】
ダイオードの記号の三角形の向き(アノード → カソード)が順方向の電流の向きです。アノードがP形、カソードがN形です。
出典:2025年(令和7年)10月期 第一級陸上特殊無線技士 無線工学B 〔5〕(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
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