次の記述は、図に示す原理的な構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(MOS 形FET)について述べたものである。[ ]…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ａ－11
次の記述は、図に示す原理的な構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(MOS 形FET)について述べたものである。[ ]内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1) G とP の間の層 [ ア ] の部分は、[A]である。(2) D-S 間に作られるのは、[B]チャネルである。
- (1)A: 導体(金属膜) B: P
- (2)A: 導体(金属膜) B: N
- (3)A: 絶縁体(酸化物) B: P
- (4)A: 絶縁体(酸化物) B: N
正答 (4)
正答は (4) です。
記述の組合せを選ぶ形式です。「A: 絶縁体(酸化物) B: N」 の組合せが正答です。
出典：2026年（令和8年）3月期 第二級総合無線通信士 無線工学の基礎 Ａ－11（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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