IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。…
午後 第67問
IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。
- (1)コレクタ電流の大きさを制御できる。
- (2)MOS FET と比較してオン抵抗が小さい。
- (3)ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。
- (4)MOS FET とトランジスタを組合せた構造である。
- (5)バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。
正答 (5)
正答は (5)。誤っているのはこれです。
IGBT は、入力側に MOS FET、出力側にバイポーラトランジスタの構造を組み合わせた素子です。バイポーラトランジスタよりスイッチングが速いので、インバータ式 X 線高電圧装置などの高い周波数のスイッチングに使われます。「バイポーラトランジスタと比べて遅い」は逆です（スイッチング速度はMOS FET と比べるとやや遅くなります）。
【ほかの選択肢（いずれも正しい）】
(1) コレクタ電流の大きさを制御できる ゲートの電圧でコレクタ電流を制御します 正しい
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(2) MOS FET と比べてオン抵抗が小さい バイポーラの構造で導通時の抵抗が小さく、大電流・高電圧に向きます 正しい
(3) ゲート、エミッタ、コレクタの端子を持つ 正しい
(4) MOS FET とトランジスタを組み合わせた構造 正しい
【比べ方】
スイッチング速度 MOS FET ＞ IGBT ＞ バイポーラ
大電流・高電圧 IGBT・バイポーラが有利
出典：2025年（令和7年） 診療放射線技師国家試験 問67（厚生労働省 公表）出典元ページ
最終更新日
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