次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 とし…

無線工学の基礎　無線工学の基礎Ｂ－3 イ

次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K 及びG とする。イ　このサイリスタの基本構造(電極を含む)は、図1 に示すようなP、N、P、Nの4 層からなる。

(1)正しい
(2)誤っている

正答 (2)

正答は (2)。図1はゲートを2層目のN層から出していますが、Pゲート形はカソード側のP層（3層目）からゲートを出すので誤りです。 Pゲート逆阻止3端子サイリスタは、アノード（A）からP・N・P・Nの4層構造で、カソード（K）に接するN層の手前のP層にゲート（G）が付きます。図1は4層であることは合っていますが、ゲートがアノード側から2層目のN層に付いていて、これはNゲート形の構造です。【Pゲート逆阻止3端子サイリスタの要点】構造：アノード側からP・N・P・Nの4層で、ゲートはカソード側のP層から出すターンオン：ゲート電流を流すターンオフ：アノード電流を保持電流より小さくする（逆電圧を加えるなど）。ゲート電流を切っても止まらない

出典：2026年（令和8年）1月期第一級陸上無線技術士無線工学の基礎Ｂ－3 イ（公益財団法人日本無線協会公表）出典元ページ

最終更新日 2026年11月3日

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