第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎
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問題を個別に見る全68問
「無線工学の基礎」の設問を、正答と解説つきで1問ずつ。
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-1次の記述は、電界の強さがE 〔V/m〕の均一な電界中の電子D の運動について述べたもので
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-2図1 に示す平均磁路長l が50〔mm〕の環状鉄心A の中に生じる磁束と、図2 に示すよ
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-3図に示すような、静電容量C1、C2、C3及びC0〔F〕の回路において、C1、C2及びC3
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-4次の記述は、図に示すような円筒に、同一方向に巻かれた二つのコイルX 及びY の合成インダ
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-5次の記述は、図1 に示すブリッジ回路によって、抵抗RX を求める過程について述べたもので
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-7次の記述は、図に示す直列共振回路について述べたものである。このうち、誤っているものを下の
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-8図1 に示すインピーダンスŻ1及びŻ2の積が周波数と無関係になり、抵抗をR〔Ω〕とし
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-9次の記述は、ダイオード又はトランジスタから発生する雑音について述べたものである。[ ]
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-10図1 に示すダイオードD と抵抗R を用いた回路に流れる電流ID 及びD の両端の電圧V
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-11図に示すトランジスタ(Tr)の自己バイアス回路において、コレクタ電流IC を2〔mA〕に
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-12次の記述は、マイクロ波やミリ波帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について述べたもの
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-13次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いたドレイン接地増幅回路の出力イ
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-15図に示す整流回路において、静電容量C1 の電圧VC1 及びC2 の電圧VC2 の最も近い
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-16図1 に示すj k フリップフロップ(FF)のFF1、FF2、及びFF3 を用いた回路の
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-17次の記述は、指示電気計器の一般的な特徴について述べたものである。このうち誤っているものを
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-18図に示す回路の抵抗R=500〔Ω〕で消費される電力P を直流電流計A の指示値I〔A〕と
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-19図に示す回路において、標準信号発生器SG の周波数f を300〔kHz〕にしたとき可変静
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-20次の記述は、図に示す原理的な二重積分形A-D 変換回路の動作について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 B-3 ア次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいも
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 B-3 イ次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいも
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 B-3 ウ次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいも
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 B-3 エ次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいも
- 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 B-3 オ次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいも
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-1次の記述は、図に示すようにx軸に沿ってx方向に電界E〔V/m〕が分布しているとき、x軸に
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-2図1に示す厚さ2d〔m〕の平行平板空気コンデンサの空気層が、電圧Vを昇圧中に300〔V〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-3図に示すように、一辺の長さr〔m〕の正三角形abcのそれぞれの頂点に紙面に垂直な無限長導
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-4図1に示すように、磁石Mの磁極(NS)間におかれた金属円板Pを軸0を中心に一定の速さで回
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-5図に示すような透磁率がμ〔H/m〕の鉄心で作られた磁気回路の磁路abの磁束φを表す式とし
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-6図に示すようにR〔Ω〕の抵抗が接続されている回路において、端子ab間から見た合成抵抗Ra
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-7図に示すように、交流電源V̇ = 100〔V〕に誘導性負荷Ż1、Ż2及び抵抗負荷Rを接続
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-8次の記述は、図に示す直列共振回路について述べたものである。[ ] 内に入れるべき値の正
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-9次の記述は、図に示す回路の交流電源電圧V̇〔V〕と電源から流れる電流İ〔A〕の位相につい
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-10次の記述は、マイクロ波(SHF)帯やミリ波(EHF)帯の回路に用いられる電子管及び半導体
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-11次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-12次の記述は、図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いたカスコード増幅回路の原理的構成
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-13図に示す理想的なB級動作をするコンプリメンタリSEPP回路において、トランジスタTr1の
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-14図1に示す回路と図2に示す回路の伝達関数(V̇o/V̇i)が等しくなる条件を表す式として
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-15図に示す整流回路において、端子ab間の電圧Vab(最大値)及び端子cd間の電圧Vcdの値
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-16次に示す真理値表と異なる動作をする論理回路を下の番号から選べ。
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-17次の記述は、図に示す整流形電流計について述べたものである。[ ] 内に入れるべき字句の
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-18図に示すように、直流電圧計V1、V2及びV3を直列に接続したとき、それぞれの電圧計の指示
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-19次の記述は、図1に示すリサジュー図について述べたものである。[ ] 内に入れるべき字句
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-20次の記述は、図に示す原理的なQメータによるコイルの尖鋭度Qの測定原理について述べたもので
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 ア次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 イ次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 ウ次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 エ次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 オ次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 ア次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 イ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 ウ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 エ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 オ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 ア次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 イ次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 ウ次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 エ次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 オ次の図は、理想的なダイオードD、ツェナー電圧2〔V〕の定電圧ダイオードDZ及び1〔kΩ〕
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 ア次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 イ次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 ウ次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 エ次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 オ次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 ア次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 イ次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 ウ次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 エ次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 オ次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
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