次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 とし…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ
次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K 及びG とする。ウ ゲート電流でアノード電流を制御する半導体スイッチング素子である。
- (1)正しい
- (2)誤っている
正答 (1)
正答は (1)。サイリスタは、ゲート電流によってアノード電流をONにする（制御する）半導体スイッチング素子です。
ゲートとカソードの間に電流を流すと、アノードからカソードへの大きな電流が流れ始めます。小さなゲート電流で大きなアノード電流の通電を始めさせられるので、整流回路の位相制御などに使われます。記述は正しいです。
【Pゲート逆阻止3端子サイリスタの要点】
構造：アノード側からP・N・P・Nの4層で、ゲートはカソード側のP層から出す
ターンオン：ゲート電流を流す
ターンオフ：アノード電流を保持電流より小さくする（逆電圧を加えるなど）。ゲート電流を切っても止まらない
出典：2026年（令和8年）1月期 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
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