次の記述は、図に示すトランジスタ(Tr)のバイアス回路について述べたものである。[  ]内に入れるべき字句を下の番号から…

無線工学の基礎 無線工学の基礎 B-4 エ

次の記述は、図に示すトランジスタ(Tr)のバイアス回路について述べたものである。[  ]内に入れるべき字句を下の番号から選べ。ただし、Tr のベース-エミッタ間電圧、コレクタ電流及びベース電流をそれぞれ VBE〔V〕、IC〔A〕及び IB〔A〕とする。(1) Ⅰの回路は、[ア]バイアス回路と呼ばれる。(2) Ⅰの回路の IB は次式で表される。IB = [イ]〔A〕(3) Ⅱの回路は、[ウ]バイアス回路と呼ばれる。(4) Ⅱの回路の IB は次式で表される。IB = [エ]〔A〕(5) Ⅰの回路は、Ⅱの回路よりも温度変化に対するバイアスの安定度が[オ]。[エ]に入れるべき字句はどれか。

第二級総合無線通信士 2026年(令和8年)9月期 無線工学の基礎 B-4 エの表
正答 (4)
正答は (4) です。 正答として示されているのは 「(V−VBE)/RB2」 です。

出典:2026年(令和8年)9月期 第二級総合無線通信士 無線工学の基礎 B-4 エ(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ

最終更新日

この回を通しで解く この分野を年度横断で解く

「無線工学の基礎」のほかの問題

  1. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-14図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路の電圧利得の値として、最も近いものを
  2. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-18次の記述は、図に示すように2現象オシロスコープによって正弦波交流回路の端子ac 間の電圧
  3. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-1 ウ次の記述は、各種の電気現象等について述べたものである。[  ]内に入れるべき字句を下の番
  4. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 B-3 イ次の記述は、可変容量ダイオードの動作原理について述べたものである。[  ]内に入れるべき
  5. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-1次の記述は、静電界における電位と電界の強さについて述べたものである。[  ]内に入れるべ
  6. 2026年(令和8年)3月期 無線工学の基礎 A-5抵抗率が110×10⁻⁸〔Ω・m〕、直径が2〔mm〕、長さが3〔m〕の軟銅線の抵抗値とし

問題文・解答の修正依頼

スポンサーリンク