図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを下の番号から選べ。…

無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-11

図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、Tr の直流電流増幅率hFEを200、ベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。

第二級陸上無線技術士 2026年(令和8年)1月期 無線工学の基礎 A-11の図
正答 (1)
正答は (1)。IB=(1.6-0.6)/50kΩ=20μA、IC=200×20μA=4mA、VCE=12-4mA×2kΩ=4V です。 ベース側:R1 にかかる電圧は V1-VBE なので IB=(1.6-0.6)/(50×10³)=20×10⁻⁶〔A〕=20〔μA〕 コレクタ側: IC=hFEIB=200×20×10⁻⁶=4×10⁻³〔A〕=4〔mA〕 VCE=V2-ICR2=12-4×10⁻³×2×10³=12-8=4〔V〕
解説の続きをみる続きを閉じる
【ほかの選択肢】 (5) 12V は IC を0とした(R2 の電圧降下を引かない)値です (2)〜(4) VBE を引き忘れるなどすると IC が変わり、正しい値になりません 【見分け方】 ベース側の閉回路で IB、hFE で IC、コレクタ側の閉回路で VCE と、順に求めます。

出典:2026年(令和8年)1月期 第二級陸上無線技術士 無線工学の基礎 A-11(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ

最終更新日

この回を通しで解く この分野を年度横断で解く

「無線工学の基礎」のほかの問題

  1. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-10次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。[  ]内に入れるべき
  2. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-17次の記述は、指示電気計器の一般的な特徴について述べたものである。このうち誤っているものを
  3. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 エ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
  4. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-3 ア次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
  5. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 ウ次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
  6. 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 オ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F

問題文・解答の修正依頼

スポンサーリンク