第二級陸上無線技術士　無線工学の基礎

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問題を個別に見る全69問

「無線工学の基礎」の設問を、正答と解説つきで1問ずつ。

1. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－1図に示すように、真空中に置かれた無限長の半径a〔m〕の円筒に、単位長あたりQ 〔C/m〕
2. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－2図に示すように、二つの円形コイルA 及びB の中心を重ねO として同一平面上に置き、互い
3. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－3次の記述は、電磁誘導現象について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の正しい組合
4. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－5図に示す回路において、抵抗R0〔Ω〕に流れる電流I0が8〔A〕、抵抗R2に流れる電流I2
5. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－6図に示す交流回路において、電源電圧v 及び回路に流れる電流i が次式で表されるとき、負荷
6. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－7図に示す直列共振回路において、可変静電容量CVが50〔pF〕のとき共振周波数frは900
7. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－8次の記述は、図に示すように負荷Ż1及びŻ2を交流電源電圧V̇ = 100 〔V〕に接
8. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－9次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下
9. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－10図1 に示すダイオードD を用いた回路に流れる電流I が40〔mA〕であるとき、抵抗R
10. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－11図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正しいものを
11. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－12次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。[ 　]内に入れ
12. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－13次の記述は、図1 に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路について述べたもの
13. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－14図に示すトランジスタ(Tr)を用いた原理的なハートレー発振回路が角周波数ω =√10×1
14. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－15次の記述は、図に示す論理回路について述べたものである。このうち正しいものを下の番号から選
15. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－16次の記述は、図に示す整流回路の動作について述べたものである。[ 　]内に入れるべき字句の
16. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－17図に示すように、内部抵抗が10〔kΩ〕の直流電圧計V 及び内部抵抗が1〔Ω〕の直流電流計
17. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－18次の記述は、表に示す三つの可動コイル形電圧計A、B 及びC の精度について述べたものであ
18. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－19図に示す交流ブリッジ回路において、検流計G の指針が零であるとき、自己インダクタンスLX
19. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ａ－20次の記述は、電気磁気量とその単位（SI 単位）について述べたものである。[ 　]内に入れ
20. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ア次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路について述べたものである
21. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 イ次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路について述べたものである
22. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ウ次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路について述べたものである
23. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 エ次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路について述べたものである
24. 2026年（令和8年）1月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 オ次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)を用いた増幅回路について述べたものである
25. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－1図に示すように、一辺の長さl〔m〕の正方形の頂点の点a、b及びcにそれぞれQ1 = 40
26. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－2図に示すように、静電容量C〔F〕のコンデンサを4つ接続した回路において、図に示す電圧V1
27. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－3次の記述は、図に示す磁気ヒステリシスループ(B-H曲線)について述べたものである。このう
28. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－4次の記述は、図に示す磁石Mの磁極間において、一辺がl〔m〕の正方形のコイルDが、中心軸O
29. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－5図に示すように、環状鉄心Mの一部に空隙を設けたときの磁気抵抗の値として、最も近いものを下
30. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－6図に示す抵抗R〔Ω〕で作られた回路において、端子ab間の合成抵抗の値が180〔Ω〕であっ
31. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－7図に示す抵抗R = 10〔Ω〕と容量リアクタンスXC = 10〔Ω〕の並列回路に、電源電
32. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－8図に示す直列共振回路において、可変静電容量CVが50〔pF〕のとき共振周波数frは600
33. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－9図に示す交流回路において、誘導リアクタンスXLに流れる電流İL〔A〕と容量リアクタンスX
34. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－10次の記述は、半導体材料のSi(シリコン)について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
35. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－11次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。[
36. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－12次の記述は、図に示す理想的な演算増幅器(AOP)で構成する回路について述べたものである。
37. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－13図に示すトランジスタ(Tr)回路において、エミッタ電流IEの値が4.5〔mA〕であるとき
38. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－14図に示す電界効果トランジスタ(FET)回路において、直流電圧計Vの値が6〔V〕であるとき
39. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－15次の記述は、図に示す原理的なRC発振回路について述べたものである。[ 　]内に入れるべき
40. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－16図1及び図2に示す論理回路の論理式の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。
41. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－17次の記述は、指示電気計器の一般的な特徴について述べたものである。このうち誤っているものを
42. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－18次の記述は、図に示すように直流電流計A1及びA2を並列に接続したときの端子ab間で測定で
43. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－19図に示す回路の端子acを電流測定の端子として、また、端子bcを電圧測定の端子として用いる
44. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ａ－20図に示すブリッジ回路は、各素子が表の値になったとき平衡状態になった。このときの静電容量C
45. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ア次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
46. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 イ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
47. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 ウ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
48. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 エ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
49. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－1 オ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
50. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 ア次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
51. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 イ次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
52. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 ウ次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
53. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 エ次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
54. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－2 オ次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
55. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ア次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
56. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 イ次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
57. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 ウ次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
58. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 エ次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
59. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－3 オ次の図は、半導体素子の図記号とその名称の組合せを示したものである。このうち正しいものを1
60. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ア次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
61. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 イ次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
62. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 ウ次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
63. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 エ次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
64. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－4 オ次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
65. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 ア次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F
66. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 イ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F
67. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 ウ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F
68. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 エ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F
69. 2026年（令和8年）7月期　無線工学の基礎 Ｂ－5 オ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F

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