次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 とし…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 Ｂ－3 オ
次の記述は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2 として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K 及びG とする。オ 図2 は、P ゲート逆阻止3 端子サイリスタの図記号である。
- (1)正しい
- (2)誤っている
正答 (2)
正答は (2)。図2はゲートをアノード側から出しています。Pゲート形の図記号はゲートをカソード側から出すので誤りです。
Pゲート逆阻止3端子サイリスタの図記号は、ダイオードの記号のカソード（K）側にゲート（G）の線を付けたものです。図2のようにアノード（A）側にゲートを付けた記号は、Nゲート形を表します。
【Pゲート逆阻止3端子サイリスタの要点】
構造：アノード側からP・N・P・Nの4層で、ゲートはカソード側のP層から出す
ターンオン：ゲート電流を流す
ターンオフ：アノード電流を保持電流より小さくする（逆電圧を加えるなど）。ゲート電流を切っても止まらない
出典：2026年（令和8年）1月期 第一級陸上無線技術士 無線工学の基礎 Ｂ－3 オ（公益財団法人日本無線協会 公表）出典元ページ
最終更新日
「無線工学の基礎」のほかの問題
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ｂ－1 ウ次の記述は、図1に示すように、面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びBのそれぞれに直
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ｂ－2 オ次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕と自己インダクタンスL〔H〕を直列に接続した回路の過渡現
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ｂ－4 イ次の記述は、図に示すターマン発振回路の発振条件について述べたものである。[ ] 内に入
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ｂ－5 エ次の記述は、図1及び図2に示す二つの回路による未知抵抗の測定について述べたものである。[
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ａ－6図に示すようにR〔Ω〕の抵抗が接続されている回路において、端子ab間から見た合成抵抗Ra
- 2026年（令和8年）7月期 無線工学の基礎 Ａ－13図に示す理想的なB級動作をするコンプリメンタリSEPP回路において、トランジスタTr1の
スポンサーリンク