次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。…
無線工学の基礎 無線工学の基礎 A-9
次の記述は、半導体とその一般的な性質について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
- (1)真性半導体は、常温付近では温度が上がると、抵抗率が低くなる。
- (2)N 形半導体の多数キャリアは自由電子である。
- (3)不純物の濃度を濃くすると、抵抗率が高くなる。
- (4)真性半導体とは、不純物を含まない非常に純度が高い半導体である。その代表的な半導体材料には、シリコンがあり、その原子価は4 価である。
- (5)P 形半導体を作るために真性半導体に入れる不純物をアクセプタという。
正答 (3)
正答は (3)。不純物の濃度を濃くするとキャリアが増えるので、抵抗率は低くなり誤りです。
ドナーやアクセプタの不純物を多く加えるほど、自由電子や正孔などのキャリアが増え、電流が流れやすくなります。したがって抵抗率は低くなります。
【ほかの選択肢】
(1) 温度が上がると価電子が伝導帯へ移ってキャリアが増え、抵抗率が下がります 正しい
(2) N形は5価の不純物で余った電子が多数キャリアです 正しい
(4) 真性半導体は不純物を含まない高純度の半導体で、Siは4価です 正しい
(5) P形を作る3価の不純物はアクセプタです 正しい
【見分け方】
半導体の抵抗率は「温度が上がる」「不純物が増える」のどちらでも下がります。
出典:2026年(令和8年)1月期 第二級陸上無線技術士 無線工学の基礎 A-9(公益財団法人日本無線協会 公表)出典元ページ
最終更新日
「無線工学の基礎」のほかの問題
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-8図に示す直列共振回路において、可変静電容量CVが50〔pF〕のとき共振周波数frは600
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 A-15次の記述は、図に示す原理的なRC発振回路について述べたものである。[ ]内に入れるべき
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-1 イ次の記述は、図1に示すように、中心Oを共有し面が直交した半径r〔m〕の円形コイルA及びB
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-2 エ次の記述は、図1に示す回路において、スイッチSWを接(ON)にしたときに抵抗R0に流れる
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-4 ア次の記述は、図に示すh定数によるトランジスタの簡易等価回路を用いたエミッタ接地増幅回路に
- 2026年(令和8年)7月期 無線工学の基礎 B-5 ウ次の記述は、図1に示す回路を用いて自己インダクタンスLX〔H〕のコイルの分布容量CX〔F
スポンサーリンク

